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MPS2907AG中文资料

MPS2907AG图片

MPS2907AG外观图

  • 大小:115.5KB
  • 厂家:ON Semiconductor
  • 描述: TRANSISTOR; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-60V; Power Dissipation Pd:625mW; DC Collector Current:600mA; DC Current Gain hFE:200; Transistor Case Style:TO-92; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:-400mV; Current Ic Continuous a Max:-600mA; Gain Bandwidth ft Typ:200MHz; Hfe Min:50; Package / Case:TO-92; Power Dissipation Pd:625mW; Termination Type:Through Hole; Transistor Type:General Purpose
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:晶体管(BJT) - 单路
  • 系列:-
  • 晶体管类型:PNP
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大):600mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大):60V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大):1.6V @ 50mA,500mA
  • 电流 - 集电极截止(最大):-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE):100 @ 150mA,10V
  • 功率 - 最大:625mW
  • 频率 - 转换:200MHz
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:TO-226-3、TO-92-3 标准主体
  • 供应商设备封装:TO-92-3
  • 包装:散装
  • 其它名称:MPS2907AG-NDMPS2907AGOS

MPS2907AG供应商

更新时间:2023-01-28 21:54:43
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